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晶豪科:逻辑IC大热将带动DRAM和NOR Flash价格调涨

发布日期:2021-09-07 05:26   来源:未知   阅读:

  一家存储IC设计厂商在昨(7)日法说会上表示,因近期半导体晶圆代工、封测的成本上涨,且需求增加,已经调涨部分利基型DRAM与NOR Flash报价,和合约客户方面报价则将从明年第一季起调涨...

  据台媒报道,昨(7)日,利基型DRAM和NOR Flash设计大厂——晶豪科(ESMT)在法说会上证实,已将部分利基型DRAM和NOR Flash价格调涨,预估明年可望进一步上调。

  针对近期产业链涨价议题,晶豪科表示,受惠于宅经济效应,目前第4季的订单需求仍佳。自9月下旬起,晶圆代工产能供不应求,近来晶圆代工与封测成本增加,价格也会相对应调整,现有部分利基型DRAM 产品现货价格已调涨,合约价方面则将从明年第一季起调涨。并表示,若产能吃紧情况短期内无解,不排除在明年第一、二季调涨价格的可能。

  除利基型DRAM外,晶豪科指出,近来受惠蓝牙耳机等应用带动,NOR Flash市况也很好,价格正向看待,明年也可望进一步涨价。

  就当前市况,晶豪科表示:“只要逻辑IC在市场大热,specialty就会跟着热。因为除了逻辑IC外,所有电子产品都需要搭配存储使用,只是容量或者其他方面要求不同。加上供应商数量减少,先前一些存储厂陆续将产线转作图像传感器生产或代工,致使供给端产能减少;另外,specialty终端应用需求逐渐回温,下游经销商与终端客户也积极备库存”,是10、11 月超乎预期的主要原因。

  在韩系SK海力士和三星逐渐减产并淡出后,台系厂商华邦(Winbond)、晶豪科(ESMT)、钰创(Etron)成为specialty DRAM 领域的主要玩家。公开资料显示,晶豪科技股份有限公司 (ESMT) 是IC设计公司,

  据摩根士丹利证券在近期报告中提及,因供需吃紧,预计利基型DRAM(DDR3 1Gb、2Gb)单位售价11月起涨10%。该机构产业分析师颜志天则修改对此类价格预测为上扬,从原先预估的2021年第1、2季价格小幅衰退同步转为季增2~5%。另外,天线宝宝论坛资料大全,TrendForce也在月初最新报告称,主流specialty DRAM价格在11月有上涨的迹象,分析是需求增加叠加供应商减少所致,还指出此次情况区别于以往,预计最先上涨的是小容量、www.29659.com小客户的利基型存储。

  “不过,虽然近期需求上扬,但未出现明显供给告急压力,目前利基性DRAM市况优于NOR。”据了解,晶豪科与力积电为长期供应伙伴,投片订单全数落在力积电。

  针对中芯国际遭到美国禁制令恐影响对兆易创新的供货一事,晶豪科认为,当前兆易创新正寻求其他产能支援,会遇到成本垫高的问题,“对我们是机会”。关键字:编辑:muyan 引用地址:

  根据TrendForce集邦咨询调查,第三季PC DRAM合约价格的议定大致完成,受惠于DRAM供应商的库存量偏低以及旺季效应,本季合约价调涨3~8%,但相较第二季25%的涨幅已大幅收敛。然而自七月初起,DRAM现货市场已提前出现PC DRAM需求疲弱的态势。卖方积极调节手上库存,持续降价求售。合约市场方面,先前PC OEMs因担忧长短料问题而大量备料,使DRAM库存已达高水位,库存叠高问题成为涨价的阻力,再加上欧美逐步解封可能使笔电需求降低,进而拉低PC DRAM的总需求量。因此,预估PC DRAM合约价于第四季进入跌势,跌幅为0~5%。此外,就近期现货市场的模组价格来看,为了去化高库存,各大模组厂已开始积极降价求售

  合约价将转跌0~5% /

  根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新数据,7月内存价格较上月进一步上涨。其中PC DRAM (DDR4 8Gb)固定交易价格较上月上涨7.89%至4.15美元。NAND的价格在7月也出现了上涨。128Gb多能级电池(MLC)NAND的固定交易价格环比上涨5.28%至4.81美元。这是自2018年9月(5.07美元)以来的最高价格。另外,单级电池NAND封装芯片价格也环比上涨了3%-6%,MLC NAND价格则环比上涨了5%至8%。DRAMeXchange指出,由于开始新的合同谈判,内存价格通常在每季度初上涨最多。比如4月PC DRAM固定交易价格就环比上涨了26.67%,是自2017年1月环比上涨35.8

  涨幅高达7% /

  芯片制造商南亚科表示,DRAM合约价格在2021年第二季度大幅上涨,预计第三季度将继续上涨。digitimes报道指出,南亚科表示,DRAM价格将在9月份上涨,这将提振公司第三季度的毛利率。据悉,2021年第二季度南亚科的毛利率为42.3%,环比增长13.2%,该季度净利润环比增长127.9% 至61.6 亿元新台币,每股收益达到2元新台币,创近10季度新高。南亚科的DRAM平均售价在第二季度环比增长30%,有利的产品组合贡献了该公司的营收。展望第三季度,南亚科称对个人电脑、消费电子和服务器的需求将稳定增长,而对5G智能手机的需求将回升。此外,南亚还披露了在其正在建设的新12英寸晶圆厂导入EUV设备和设施的计划。该公司预计其第四代

  韩国首尔,2021年7月12日SK海力士(或“公司”,)宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) *LPDDR4 移动端DRAM产品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。“DDR” 为电子工程设计发展联合协会(Joint Electron Device Engineering Council,简称JEDEC)规定的DRAM规格标准名称,DDR1-2-3-4为其顺序进行换代。自从10纳米级DRAM产品开始,半导体业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名,此次SK海力士量产

  SK 海力士在其官网宣布,公司的第四代 10 纳米(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) LPDDR4 移动端 DRAM(动态随机存储器)产品已经在今年 7 月初开始量产。这是 SK 海力士首次采用 EUV 技术进行 DRAM 产品的量产。SK 海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用 1a 纳米级技术的移动端 DRAM。记者了解到,Strategy Analytics 机构最新的研究报告显示,2021 年第一季度,顶尖高手坛全球智能手机存储芯片市场总销售额达到 114 亿美元,同比增长 21%。其中,三星以以 49% 的市场份额排名第一,SK 海力士排名第二,美光位列第三。

  内存厂商的新战斗正在悄悄打响,现在SK海力士官方给出消息称,开始启用EUV光刻机闪存内存芯片。按照官方的说法,公司的第四代10nm(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) LPDDR4 移动端 DRAM(动态随机存储器)产品已经在今年7月初开始量产。SK海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用1a纳米级技术的移动端 DRAM。在这之前,三星和美光也都表示,将启用EUV光刻机闪存内存芯片之后,不过美光时间上要更晚一些,其要在2024年生产新的EUV内存芯片。去年SK海力士宣布斥资90亿美元(约合600亿元)收购Intel闪存部门,合并之后有望成为仅次于三星的第二大闪存巨头,六大原厂将减少为五家。

  此源码包为intel J3系列NorFlash的驱动程序,支持8位,16位总线宽度

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